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IPS70R600CEAKMA1备选型号: IPS70R950CEAKMA1
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON10.5A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2016yesDiscontinued1 (Unlimited)3EAR99SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 1A, 10V3.5V @ 0.21mA474pF @ 100V22nC @ 10V700V±20V10.5A3V0.6Ohm18A700V55 mJ超级交界处无SVHCROHS3 Compliant--------- MOSFET NCH 700V 7.4A TO251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak-SILICON7.4A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 150μA328pF @ 100V15.3nC @ 10V-±20V7.4A-0.95Ohm12A-50 mJ超级交界处-ROHS3 Compliant18 Weekse3Tin (Sn)not_compliantR-PSIP-T3无卤素700V含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH TO251 | 对比 |
 | IPU60R600C6BKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube | 对比 |
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