Infineon Technologies IPS70R600CEAKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

86W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 0.21mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

474pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

700V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.5A

阈值电压

3V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

700V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant