我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPS70R950CEAKMA1备选型号: IPS65R1K0CEAKMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET NCH 700V 7.4A TO25118 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON7.4A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLEnot_compliantR-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 150μA无卤素328pF @ 100V15.3nC @ 10V±20V7.4A700V0.95Ohm12A50 mJ超级交界处ROHS3 Compliant含铅------------ MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-36 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yesDiscontinued1 (Unlimited)3-Tin (Sn)-not_compliant--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA无卤素328pF @ 100V15.3nC @ 10V±20V4.3A650V1Ohm-50 mJ-ROHS3 Compliant含铅3343.085929mg未说明未说明1Single6.6 ns5.2ns13.6 ns20V650V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 | 对比 |
 | FDU6N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK | 对比 |
 | IPU50R950CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | 对比 |
哦! 它是空的。