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IPT210N25NFDATMA1备选型号: BSZ42DN25NS3GATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最小工作温度
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MV POWER MOS18 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)2008yes活跃1 (Unlimited)EAR99-55°C无卤素250V250VROHS3 Compliant含铅-----------------------------------
Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TDSON EP18 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)2013no活跃1 (Unlimited)EAR99-无卤素-250VROHS3 Compliant含铅Tin表面贴装8-PowerTDFN8SILICON5A Tc-55°C~150°C TJOptiMOS™e35DUAL无铅not_compliant8S-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING425m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 13μA430pF @ 100V5.5nC @ 10V2ns±20V5A20V5A0.425Ohm20A40 mJ无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB33N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | 对比 |
 | PCP1402-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | ON SEMICONDUCTOR PCP1402-TD-H MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 250 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
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