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IPT210N25NFDATMA1备选型号: FDB33N25TM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最小工作温度
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MV POWER MOS18 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)2008yes活跃1 (Unlimited)EAR99-55°C无卤素250V250VROHS3 Compliant含铅----------------------------------------
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK7 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)2004yes活跃1 (Unlimited)EAR99----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTin31.31247gSILICON1-55°C~150°C TJUniFET™e3294MOhmFAST SWITCHING, AVALANCHE RATED鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET235WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING94m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2135pF @ 25V48nC @ 10V230ns±30V120 ns33A3V30V250V3 V10.67mm4.83mm11.33mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | 对比 |
 | PCP1402-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | ON SEMICONDUCTOR PCP1402-TD-H MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 250 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.5 V | 对比 |
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