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IPU50R2K0CEAKMA1备选型号: IPU60R1K5CEAKMA2
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-2516 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON2.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yesDiscontinued3 (168 Hours)3Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 600mA, 13V3.5V @ 50μA无卤素124pF @ 100V6nC @ 10V±20V2.4A500V2Ohm6.1AROHS3 Compliant含铅----- MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-318 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-SILICON3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)3Tin (Sn)SINGLE-not_compliant-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA无卤素200pF @ 100V9.4nC @ 10V±20V3.1A600V-8AROHS3 Compliant含铅R-PSIP-T3DRAIN5A26 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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