Infineon Technologies IPU50R2K0CEAKMA1
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IPU50R2K0CEAKMA1
1211-IPU50R2K0CEAKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
1最小包装量--
IPU50R2K0CEAKMA1详情
Infineon Technologies IPU50R2K0CEAKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
33W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 600mA, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 50μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
124pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.4A
最大双电源电压
500V
漏极-源极导通最大电阻
2Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.1A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPU50R2K0CEAKMA1拓展信息
Infineon Technologies
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