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IPU50R3K0CEBKMA1备选型号: FDU3N40TU
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- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- JESD-609代码
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- 资历状况
- 功率耗散
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 TubeSurface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2013noObsolete3 (168 Hours)3未说明未说明Single增强型MOSFET7.3 nsN-ChannelSWITCHING3 Ω @ 400mA, 13V3.5V @ 30μA无卤素84pF @ 100V4.3nC @ 10V5.8ns±20V49 ns1.7A20V500V3Ohm550V4.1A18 mJ6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准含铅-------------
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON2A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013yes活跃1 (Unlimited)3未说明未说明Single增强型MOSFET10 nsN-ChannelSWITCHING3.4 Ω @ 1A, 10V5V @ 250μA-225pF @ 25V6nC @ 10V30ns±30V25 ns2A30V--400V8A46 mJ7.57mm6.8mm2.5mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)4 Weeks343.08mge3EAR993.4OhmTin (Sn)快速切换not_compliant不合格30WDRAIN2A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD3NK50Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
| IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
 | NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 | 对比 |
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