IPU50R3K0CEBKMA1备选型号: STD3NK50Z-1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 阈值电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 TubeSurface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2013noObsolete3 (168 Hours)3未说明未说明Single增强型MOSFET7.3 nsN-ChannelSWITCHING3 Ω @ 400mA, 13V3.5V @ 30μA无卤素84pF @ 100V4.3nC @ 10V5.8ns±20V49 ns1.7A20V500V3Ohm550V4.1A18 mJ6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准含铅----------
- STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON2.3A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™--活跃1 (Unlimited)326030Single增强型MOSFET8 nsN-ChannelSWITCHING3.3 Ω @ 1.15A, 10V4.5V @ 50μA-280pF @ 25V15nC @ 10V13ns±30V14 ns1.15A30V--500V9.2A----ROHS3 Compliant-NRND (Last Updated: 8 months ago)e3Matte Tin (Sn)STD3N345W3.75V3.75 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD3NK50Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
![]() | IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
![]() | NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 | 对比 |





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