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IPU60R1K0CEAKMA2备选型号: IPU50R2K0CEBKMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-318 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON4.3A Tc3.5V @ 130μA-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 1.5A, 10V无卤素280pF @ 100V13nC @ 10V±20V4.3A600V1Ohm12A46 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-------------- MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251-Surface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-2.4A Tc3.5V @ 50μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013-noObsolete3 (168 Hours)---未说明未说明----N-Channel-2 Ω @ 600mA, 13V-124pF @ 100V6nC @ 10V±20V2.4A-----符合RoHS标准-3EAR99Single22W6 ns5ns500V38 ns20V550V6.22mm6.73mm2.41mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
 | IPS70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 | 对比 |
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