IPU80R2K8CEBKMA1备选型号: STD3NK60Z-1
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3PG-TO251-3343.085929mg1.9A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008Discontinued1 (Unlimited)150°C-55°C1Single25 nsN-Channel2.8Ohm @ 1.1A, 10V3.9V @ 120μA不含卤素290pF @ 100V12nC @ 10V15ns800V±20V18 ns1.9A30V800V290pF2.8Ohm2.8 Ω6.22mm6.73mm2.41mmROHS3 Compliant含铅------------------
- STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1 Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3--2.4A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™-不用于新设计1 (Unlimited)---Single9 nsN-Channel3.6 Ω @ 1.2A, 10V4.5V @ 50μA-311pF @ 25V11.8nC @ 10V14ns-±30V14 ns2.4A30V----6.2mm6.6mm2.4mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)SILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - annealed26030STD3N3增强型MOSFET45WSWITCHING3.75V600V9.6A无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STU2LN60K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
![]() | STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1 Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
![]() | STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | 对比 |




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