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首页 全部分类 IPW60R045CPAFKSA1 vs STW70N60M2

IPW60R045CPAFKSA1备选型号: STW70N60M2

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  • 元素配置
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPW60R045CPAFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    3.5V @ 3mA
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    -40°C~150°C TJ
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    431W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 44A, 10V
    6800pF @ 100V
    190nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    10 ns
    60A
    20V
    600V
    0.045Ohm
    600V
    230A
    150°C
    25.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW70N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    10V
    4V @ 250μA
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    450W
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 34A, 10V
    5200pF @ 100V
    118nC @ 10V
    17ns
    ±25V
    9 ns
    68A
    25V
    -
    0.04Ohm
    -
    272A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    38.000013g
    EAR99
    STW70N
    Single
    600V
    3V
    600V
    9000 mJ
    无SVHC
    无
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