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首页 全部分类 IPW60R075CPAFKSA1 vs SPW20N60C3FKSA1

IPW60R075CPAFKSA1备选型号: SPW20N60C3FKSA1

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  • 表面安装
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPW60R075CPAFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET AUTOMOTIVE
    18 Weeks
    通孔
    TO-247
    3
    1
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    150°C
    -40°C
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    40 ns
    SWITCHING
    17ns
    600V
    N-CHANNEL
    7 ns
    39A
    20V
    600V
    0.075Ohm
    1150 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW20N60C3FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    40 Weeks
    -
    TO-247-3
    3
    20.7A Tc
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    650V
    -
    -
    -
    -
    -
    0.19Ohm
    690 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    NO
    SILICON
    3.9V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    N-Channel
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    ±20V
    TO-247AD
    20.7A
    62.1A
    600V
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