IPW60R160P6FKSA1备选型号: STW28N60M2
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 600V TO247-318 Weeks通孔通孔TO-247-33PG-TO247-323.8A Tc4.5V @ 750μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)150°C-55°C12.5 nsN-Channel160mOhm @ 9A, 10V2080pF @ 100V44nC @ 10V7.6ns600V±20V5.8 ns23.8A20V600V2.08nF144mOhm160 mΩROHS3 Compliant无铅-----------------
- Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube16 Weeks通孔通孔TO-247-33-24A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)--14.5 nsN-Channel150m Ω @ 12A, 10V1370pF @ 100V37nC @ 10V7.2ns-±25V8 ns24A25V----ROHS3 Compliant无铅Tin38.000013gSILICON3EAR99STW28N1Single增强型MOSFET170WSWITCHING22A600V88A20.15mm15.75mm5.15mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
![]() | STW28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STW33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |




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