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首页 全部分类 IPW60R190E6FKSA1 vs IPW60R165CPFKSA1

IPW60R190E6FKSA1备选型号: IPW60R165CPFKSA1

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPW60R190E6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    151W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 9.5A, 10V
    3.5V @ 630μA
    1400pF @ 100V
    63nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    8 ns
    20.2A
    20V
    600V
    59A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R165CPFKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 12A, 10V
    3.5V @ 790μA
    2000pF @ 100V
    52nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    61A
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    600V
    21A
    0.165Ohm
    600V
    522 mJ
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