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首页 全部分类 IPW65R095C7XKSA1 vs STW38N65M5

IPW65R095C7XKSA1备选型号: STW38N65M5

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPW65R095C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 24A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247
    24A Tc
    4V @ 590μA
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    17 ns
    N-Channel
    95mOhm @ 11.8A, 10V
    无卤素
    2140pF @ 400V
    45nC @ 10V
    14ns
    650V
    ±20V
    7 ns
    24A
    20V
    650V
    2.14nF
    84mOhm
    95 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW38N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1
    5V @ 250μA
    -
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    66 ns
    N-Channel
    95m Ω @ 15A, 10V
    -
    3000pF @ 100V
    71nC @ 10V
    9ns
    -
    ±25V
    9 ns
    30A
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    95mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STW38N
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    ISOLATED
    SWITCHING
    650V
    660 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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