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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥35.198474
10
¥33.206107
100
¥31.326516
500
¥29.553318
1000
¥27.880488
Infineon Technologies IPW65R095C7XKSA1
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- 对比
IPW65R095C7XKSA1
1211-IPW65R095C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 24A TO247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPW65R095C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPW65R095C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 590μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
128W Tc
Turn Off Delay Time
72 ns
已出版
2008
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2140pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
24A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
输入电容
2.14nF
漏源电阻
84mOhm
最大rds
95 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPW65R095C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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