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首页 全部分类 IPW65R125C7XKSA1 vs STW32NM50N

IPW65R125C7XKSA1备选型号: STW32NM50N

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPW65R125C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247-3
    1
    4V @ 440μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    14 ns
    N-Channel
    125mOhm @ 8.9A, 10V
    无卤素
    1670pF @ 400V
    35nC @ 10V
    15ns
    650V
    ±20V
    8 ns
    18A
    20V
    650V
    1.67nF
    125 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW32NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    1
    4V @ 250μA
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    130m Ω @ 11A, 10V
    -
    1973pF @ 50V
    62.5nC @ 10V
    9.5ns
    -
    ±25V
    23.6 ns
    22A
    25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    STW32N
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    SWITCHING
    500V
    88A
    340 mJ
    not_compliant
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