Infineon Technologies IPW65R125C7XKSA1
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IPW65R125C7XKSA1
1211-IPW65R125C7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 650V TO247
1最小包装量--
IPW65R125C7XKSA1详情
Infineon Technologies IPW65R125C7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO247-3
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
101W Tc
Turn Off Delay Time
71 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 440μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1670pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
输入电容
1.67nF
最大rds
125 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPW65R125C7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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