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首页 全部分类 IPW65R280E6FKSA1 vs STW18N65M5

IPW65R280E6FKSA1备选型号: STW18N65M5

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  • 终止次数
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPW65R280E6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 4.4A, 10V
    3.5V @ 440μA
    950pF @ 100V
    45nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    13.8A
    20V
    650V
    0.28Ohm
    39A
    290 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW18N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 650V 15A TO-247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    15A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    110W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 7.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1240pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    15A
    25V
    -
    0.22Ohm
    60A
    210 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    STW18N
    Single
    DRAIN
    9 ns
    650V
    无
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