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首页 全部分类 IPW90R800C3FKSA1 vs IPW65R420CFDFKSA1

IPW90R800C3FKSA1备选型号: IPW65R420CFDFKSA1

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  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-30代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPW90R800C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    70 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    800m Ω @ 4.1A, 10V
    3.5V @ 460μA
    1100pF @ 100V
    42nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    32 ns
    6.9A
    TO-247AD
    20V
    900V
    0.8Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R420CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    8.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83.3W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 3.4A, 10V
    4.5V @ 340μA
    870pF @ 100V
    32nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    8 ns
    8.7A
    -
    20V
    650V
    0.42Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    R-PSFM-T3
    27A
    227 mJ
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