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IPZ60R040C7XKSA1备选型号: IPZ60R125P6FKSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
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- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-418 Weeks通孔通孔TO-247-450A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C71999yes活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel40m Ω @ 24.9A, 10V4V @ 1.24mA无卤素4340pF @ 400V107nC @ 10V±20V50A600VROHS3 Compliant无铅------------- MOSFET N-CH 600V TO247-419 Weeks通孔通孔TO-247-437.9A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62006yesObsolete1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel99m Ω @ 14.5A, 10V4.5V @ 1.21mA-3330pF @ 100V70nC @ 10V±20V37.9A600V符合RoHS标准无铅SILICONe34Tin (Sn)SINGLER-PSFM-T4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING0.125Ohm87A636 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | 对比 |
 | STW69N65M5-4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 | 对比 |
 | STW56N60M2-4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 | 对比 |
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