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首页 全部分类 IPZ60R070P6FKSA1 vs IPZ60R060C7XKSA1

IPZ60R070P6FKSA1备选型号: IPZ60R060C7XKSA1

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  • 包装
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无卤素
  • Infineon Technologies
    IPZ60R070P6FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-4
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    SILICON
    53.5A Tc
    4.5V @ 1.72mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 20.6A, 10V
    4750pF @ 100V
    100nC @ 10V
    ±20V
    53.5A
    600V
    0.07Ohm
    156A
    1136 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IPZ60R060C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    SILICON
    10V
    4V @ 800μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 15.9A, 10V
    2850pF @ 400V
    68nC @ 10V
    ±20V
    35A
    600V
    0.06Ohm
    -
    159 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    无卤素
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