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首页 全部分类 IR2104SPBF vs IR2151SPBF

IR2104SPBF备选型号: IR2151SPBF

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  • 电源电流
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 频率
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IR2104SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IR2104SPBF
    2
    10V
    360mA
    15V
    150μA
    625mW
    130mA
    270μA
    820 ns
    Non-Inverting
    60 ns
    20V
    170ns
    90 ns
    10V
    100ns 50ns
    Synchronous
    0.36A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    210mA 360mA
    YES
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2151SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IR2151SPBF
    2
    20V
    250mA
    -
    5mA
    625mW
    250mA
    5mA
    -
    RC输入电路
    -
    -
    120ns
    70 ns
    -
    80ns 40ns
    Synchronous
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    125mA 250mA
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    106kHz
    20V
    12V
    2
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