IR2110PBF备选型号: MIC4467ZN

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  • 工作电源电流
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  • 最大输出电压
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  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 资历状况
  • 电源电流
  • 接口IC类型
  • 驱动器数量
  • 关断时间
  • 座位高度(最大)
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    1.620005g
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    通孔
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    Matte Tin (Sn)
    1.6W
    3.3V~20V
    DUAL
    250
    1
    15V
    30
    IR2110PBF
    2
    20V
    2A
    15V
    340μA
    1.6W
    2.5A
    340μA
    150 ns
    Non-Inverting
    10 ns
    20V
    35ns
    25 ns
    10V
    25ns 17ns
    Independent
    0.15 μs
    2.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2A 2A
    YES
    500V
    4.9276mm
    20.1676mm
    7.11mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 14-DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    -
    Low-Side
    0°C~70°C TA
    Tube
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    -
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - annealed
    1.5W
    4.5V~18V
    DUAL
    NOT APPLICABLE
    4
    -
    NOT APPLICABLE
    MIC4467
    -
    -
    1.2A
    -
    -
    1.5W
    1.2A
    -
    75 ns
    Inverting
    75 ns
    -
    25ns
    25 ns
    -
    14ns 13ns
    Independent
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    NO
    -
    -
    -
    7.62mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    不合格
    200μA
    基于NAND门的MOSFET驱动器
    4
    0.1 μs
    5.588mm
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