IR2110SPBF备选型号: AUIRS2110S
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 类型
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出电压
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
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- 最大输出电压
- 参考电压
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最小输出电压
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 最大结点温度(Tj)
- 高边驱动器
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 电源
- 驱动器数量
- 电源电压1-额定值
- 内置保护器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)16Half-Bridge-40°C~150°C TJTube1996e3活跃3 (168 Hours)16SMD/SMTEAR99Integrated Circuit (IC)Matte Tin (Sn)1.25W3.3V~20VDUAL鸥翼260115V30IR2110SPBF2520V2.5mA15V180μA1.25W2.5A340μA120 nsNon-Inverting120 ns20V500V25ns17 ns10V25ns 17nsIndependent0.15 μs2.5AIGBT, N-Channel MOSFET2A 2A150°CYES125°C2.65mm10.4902mm7.5946mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC-表面贴装表面贴装16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)1635 ns-40°C~150°C TJTube2001e3Obsolete3 (168 Hours)16-EAR99-Tin (Sn)1.25W3V~20VDUAL鸥翼260115V30AUIRS2110S--2.5A--1.25W2.5A-230 nsNon-Inverting35 ns--40ns30 ns-25ns 15nsIndependent--IGBT, N-Channel MOSFET2.5A 2.5A---2.35mm10.4902mm7.5946mm无SVHC无符合RoHS标准无铅Automotive, AEC-Q10015V215VTRANSIENT; UNDER VOLTAGE500V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRS2110S | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC | 对比 |
![]() | IRS21856SPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 对比 |
![]() | IRS21962SPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16-SOIC | 对比 |






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