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IR2111STRPBF备选型号: IR2151SPBF

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 频率
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • Infineon Technologies
    IR2111STRPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Half-Bridge
    180μA
    1996
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    IR2111SPBF
    180μA
    20V
    500mA
    15V
    625mW
    500mA
    950 ns
    Non-Inverting
    950 ns
    20V
    130ns
    65 ns
    10V
    80ns 40ns
    Synchronous
    2
    0.95 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2151SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Half-Bridge
    5mA
    2001
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    IR2151SPBF
    5mA
    20V
    250mA
    -
    625mW
    250mA
    -
    RC输入电路
    -
    -
    120ns
    70 ns
    -
    80ns 40ns
    Synchronous
    2
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    125mA 250mA
    -
    600V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    106kHz
    2
    20V
    12V
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