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IR2112PBF备选型号: MIC4469YN

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  • 功能数量
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  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接口IC类型
  • Infineon Technologies
    IR2112PBF
    Infineon Technologies
    IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    14-Lead PDIP
    High-Side or Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    Matte Tin (Sn)
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    250
    1
    15V
    30
    IR2112PBF
    2
    20V
    500mA
    15V
    180μA
    1.6W
    250mA
    180μA
    180 ns
    Non-Inverting
    30 ns
    20V
    130ns
    65 ns
    10V
    80ns 40ns
    Independent
    0.18 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    0.16 μs
    600V
    4.9276mm
    20.1676mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Microchip Technology
    MIC4469YN
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 14DIP
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    -
    75 ns
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - annealed
    1.5W
    4.5V~18V
    DUAL
    -
    4
    -
    -
    MIC4469
    4
    18V
    1.2A
    -
    200μA
    1.5W
    1.2A
    -
    75 ns
    Inverting, Non-Inverting
    75 ns
    -
    25ns
    25 ns
    -
    14ns 13ns
    Independent
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    NO
    0.1 μs
    -
    4.064mm
    19.56mm
    5.969mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    和基于栅极的mosfet驱动器
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