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首页 全部分类 IR2131SPBF vs IRS2332DSTRPBF

IR2131SPBF备选型号: IRS2332DSTRPBF

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  • 电源电流
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  • 下降时间（典型值）
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  • 信道型
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 资历状况
  • 接口IC类型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • Infineon Technologies
    IR2131SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    28
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    75Ohm
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    3
    15V
    1.27mm
    30
    IR2131SPBF
    6
    620V
    500mA
    15V
    4.5mA
    1.6W
    250mA
    4.5mA
    2 μs
    Inverting
    1.3 μs
    150ns
    100 ns
    80ns 40ns
    Independent
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    1 μs
    600V
    2.35mm
    18.0848mm
    7.5946mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2332DSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    28
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    75Ohm
    -
    8542.39.00.01
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    1.27mm
    未说明
    IRS2332DSPBF
    -
    -
    500mA
    15V
    -
    1.6W
    200mA
    -
    700 ns
    Inverting
    50 ns
    125ns
    55 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    0.7 μs
    600V
    2.3622mm
    18.0848mm
    7.5946mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.214806g
    不合格
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    6
    0.7 μs
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