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IR2133SPBF备选型号: IRS2332STRPBF

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  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 质量
  • 资历状况
  • 传播延迟
  • Infineon Technologies
    IR2133SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
    12 Weeks
    28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    28
    Half-Bridge
    1996
    Tube
    125°C TJ
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    100Ohm
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    3
    15V
    1.27mm
    IR2133SPBF
    10V
    500mA
    15V
    100μA
    1.6W
    250mA
    Inverting
    750 ns
    150ns
    70 ns
    90ns 40ns
    3-Phase
    6
    1 μs
    0.5A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    YES
    0.95 μs
    600V
    2.35mm
    18.0848mm
    7.5946mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2332STRPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
    -
    28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    28
    Half-Bridge
    1996
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    75Ohm
    -
    8542.39.00.01
    1.6W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    15V
    1.27mm
    IRS2332SPBF
    -
    500mA
    15V
    -
    1.6W
    200mA
    Inverting
    50 ns
    125ns
    55 ns
    80ns 35ns
    3-Phase
    6
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    -
    600V
    2.3622mm
    18.0848mm
    7.5946mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    2.214806g
    不合格
    700 ns
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