IR2136SPBF备选型号: IRS2330DSTRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 终端
- ECCN 代码
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- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 输出的数量
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- 功率耗散
- 输出电流
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 最大输出电压
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
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- 发布时间
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 传播延迟
- 接口IC类型
- 驱动器数量
- Driver 600V 0.35A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube12 Weeks表面贴装表面贴装28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)28Half-Bridge-40°C~150°C TJTube1996e3活跃3 (168 Hours)28SMD/SMTEAR99100OhmMatte Tin (Sn)FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT8542.39.00.011.6W10V~20VDUAL鸥翼115V1.27mmIR2136SPBF6620V350mA15V1.6mA1.6W200mAInverting550 ns20V190ns75 ns10V380 ns125ns 50ns3-Phase0.55 μs0.35AIGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mAYES0.55 μs600V2.35mm18.0848mm7.5946mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free-------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC-表面贴装表面贴装28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)28Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)1996-Obsolete3 (168 Hours)28-EAR9975Ohm--8542.39.00.011.6W10V~20VDUAL鸥翼115V1.27mmIRS2330DSPBF--500mA--1.6W200mAInverting50 ns-125ns55 ns--80ns 35ns3-Phase0.7 μs-IGBT, N-Channel MOSFET250mA 500mAYES0.7 μs600V2.3622mm18.0848mm7.5946mm--符合RoHS标准无铅未说明未说明不合格15V700 ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器6
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2330STRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC | 对比 |
![]() | IRS2332STRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC | 对比 |
![]() | IRS2330DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC | 对比 |



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