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IR2153SPBF备选型号: IR2151SPBF

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  • 输出电流
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  • 下降时间（典型值）
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  • 信道型
  • 闸门类型
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高边驱动器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 驱动器数量
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • Infineon Technologies
    IR2153SPBF
    Infineon Technologies
    Driver 600V 0.4A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    1996
    Tube
    -40°C~125°C TJ
    e3
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~15.6V
    DUAL
    鸥翼
    1
    12V
    106kHz
    IR2153SPBF
    2
    20V
    250mA
    5mA
    625mW
    400mA
    5mA
    660 ns
    RC输入电路
    150 ns
    20V
    600V
    80ns
    45 ns
    10V
    80ns 45ns
    Synchronous
    N-Channel MOSFET
    125°C
    YES
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2151SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    2001
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    106kHz
    IR2151SPBF
    2
    20V
    250mA
    5mA
    625mW
    250mA
    5mA
    -
    RC输入电路
    -
    -
    -
    120ns
    70 ns
    -
    80ns 40ns
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    20V
    12V
    2
    125mA 250mA
    600V
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