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IR21834SPBF备选型号: IRS21856SPBF

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  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接口IC类型
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IR21834SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    14
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    IR21834SPBF
    2
    620V
    2.3A
    1.6mA
    1W
    1.9A
    1.6mA
    330 ns
    Inverting, Non-Inverting
    35 ns
    20V
    60ns
    35 ns
    10V
    40ns 20ns
    Independent
    2.3A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    1.9A 2.3A
    YES
    0.33 μs
    600V
    1.4986mm
    8.74mm
    3.99mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS21856SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    Half-Bridge
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    EAR99
    -
    1W
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    IRS21856SPBF
    -
    -
    500mA
    120μA
    -
    500mA
    -
    -
    Non-Inverting
    250 ns
    -
    30ns
    20 ns
    -
    30ns 20ns
    Independent
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    -
    -
    600V
    1.4986mm
    8.7376mm
    3.9878mm
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    未说明
    未说明
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    2
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