IR2184SPBF备选型号: AUIRS2181STR
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出电压
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- 电源
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 最大输出电压
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最小输出电压
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 最大结点温度(Tj)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 驱动器数量
- 内置保护器
- Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTube1996e3活跃2 (1 Year)8SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)625mW10V~20VDUAL鸥翼260115V30IR2184SPBF220V2.3A15V1mA625mW1.9A1.6mA900 nsNon-Inverting680 ns20V40ns20 ns10V40ns 20nsIndependent0.9 μs2.3AIGBT, N-Channel MOSFET1.9A 2.3A150°CYES0.4 μs600V125°C1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--
- Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000-活跃3 (168 Hours)8-EAR99-625mW10V~20VDUAL鸥翼-115V-AU842992--2.3A15V-625mW1.9A-330 nsInverting35 ns-60ns35 ns-15ns 15nsIndependent--IGBT, N-Channel MOSFET1.9A 2.3A--0.33 μs600V-1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRS2181STR | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |
![]() | IRS2608DSPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |
![]() | IRS2607DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC | 对比 |



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