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首页 全部分类 IRF100B201 vs IRFI4110GPBF

IRF100B201备选型号: IRFI4110GPBF

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF100B201
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    192A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    4.2m Ω @ 115A, 10V
    4V @ 250μA
    9500pF @ 50V
    255nC @ 10V
    100V
    ±20V
    192A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4110GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    72A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    N-Channel
    4.5m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    9540pF @ 50V
    290nC @ 10V
    -
    ±20V
    72A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    3
    通孔
    4.5MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    61W
    ISOLATED
    24 ns
    SWITCHING
    58ns
    71 ns
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    290A
    4 V
    16.13mm
    10.75mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
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