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IRF100B201备选型号: STP170N8F7

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包装
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ECCN 代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
无铅
生命周期状态
基本部件号

IRF100B201

Infineon Technologies

Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

12 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
192A Tc
-55°C~175°C TJ
Tube
HEXFET®, StrongIRFET™
2013
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
未说明
未说明
N-Channel
4.2m Ω @ 115A, 10V
4V @ 250μA
9500pF @ 50V
255nC @ 10V
100V
±20V
192A
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
STP170N8F7

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB

-
通孔
通孔
TO-220-3
120A Tc
-55°C~175°C TJ
Tube
STripFET™ F7
-
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
未说明
未说明
N-Channel
3.9m Ω @ 60A, 10V
4.5V @ 250μA
8710pF @ 40V
120nC @ 10V
80V
±20V
120A
ROHS3 Compliant
无铅
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
STP170
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