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IRF100S201备选型号: STH180N10F3-2
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK (TO-263AB)192A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel4.2mOhm @ 115A, 10V4V @ 250μA9500pF @ 50V255nC @ 10V100V±20V192A9.5nF3.5mOhm4.2 mΩROHS3 Compliant无铅-------------------------------
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ III-活跃1 (Unlimited)--N-Channel4.5m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA6665pF @ 25V114.6nC @ 10V-±20V180A---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)4SILICONe32EAR994.5MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STH1803R-PSSO-G2Single增强型MOSFET315WDRAIN25.6 nsSWITCHING97.1ns6.9 ns2V20V100V720A4.8mm15.8mm10.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK | 对比 |
| AUIRLS4030 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 对比 |
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