Infineon Technologies IRF100S201
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IRF100S201
1211-IRF100S201
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
--最小包装量--
IRF100S201详情
Infineon Technologies IRF100S201重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
192A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
441W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2mOhm @ 115A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9500pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
255nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
192A
输入电容
9.5nF
漏源电阻
3.5mOhm
最大rds
4.2 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF100S201拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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