IRF1010NSTRLPBF备选型号: STB80NF55-08T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 电阻
- 基本部件号
- 引脚数量
- MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON85A Tc2002HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55V鸥翼26085A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET180WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 43A, 10V4V @ 250μA3210pF @ 25V120nC @ 10V76ns±20V48 ns85A4VTO-25220V75A55V290A55V250 mJ100 ns4 V4.826mm10.668mm9.65mmROHS3 Compliant无无SVHCContains Lead, Lead Free---
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-STripFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2-EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-55V鸥翼24580A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3850pF @ 25V155nC @ 10V85ns±20V25 ns80A3V-20V-55V-----4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅8mOhmSTB80N4
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB80NF55-08T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |




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