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IRF1010ZPBF备选型号: FDP070AN06A0
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- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003活跃1 (Unlimited)3EAR997.5MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE55V75ASingle增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA2840pF @ 25V95nC @ 10V150ns±20V92 ns75ATO-220AB20V55V55V33 ns4 V8.77mm10.54mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB9 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON15A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®-活跃1 (Unlimited)3EAR99--60V80ASingle增强型MOSFET175WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V66nC @ 10V159ns±20V35 ns80ATO-220AB20V60V-------无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1.8ge3yesTin (Sn)0.007Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB | 对比 |
| IRF4104PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB | 对比 |
 | IPP77N06S3-09 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 77A TO-220 | 对比 |
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