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IRF1018ESPBF备选型号: IRFZ48VSPBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 终端数量
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- 资历状况
- 配置
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK52 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR998.4MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns79A4V20V60V88 mJ39 ns4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------------
[object Object]----SILICON1----e3-1 (Unlimited)-EAR99-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAIN--SWITCHING-----------166 mJ------符合RoHS标准-YES2AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCESINGLEcompliant不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEN-CHANNEL72A0.012Ohm290A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2 | 对比 |
| IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK | 对比 |
 | STB60NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp | 对比 |
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