Infineon Technologies IRFS3607PBF
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IRFS3607PBF
1211-IRFS3607PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2
--最小包装量--
IRFS3607PBF详情
Infineon Technologies IRFS3607PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
140W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 46A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3070pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
上升时间
110ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
96 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
双电源电压
75V
恢复时间
50 ns
栅源电压
4 V
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS3607PBF拓展信息
Infineon Technologies
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