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首页 全部分类 IRF1104PBF vs IRF3709PBF

IRF1104PBF备选型号: IRF3709PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF1104PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    9mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    100A
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    93nC @ 10V
    114ns
    ±20V
    19 ns
    100A
    4V
    TO-220AB
    20V
    40V
    400A
    40V
    110 ns
    4 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3709PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    9Ohm
    -
    30V
    90A
    Single
    增强型MOSFET
    120W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    2672pF @ 16V
    41nC @ 5V
    171ns
    ±20V
    9.2 ns
    90A
    3V
    TO-220AB
    20V
    30V
    -
    30V
    -
    3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    75A
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