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IRF1404LPBF备选型号: IRF1405LPBF
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 40V 162A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON162A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3EAR994mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE40V260162A301Single增强型MOSFET200WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 95A, 10V4V @ 250μA7360pF @ 25V200nC @ 10V140ns±20V26 ns162A4V20V75A40V650A4 V9.652mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N-CH 55V 131A TO-262-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-131A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010-Obsolete1 (Unlimited)-----55V-131A----200W-13 nsN-Channel-5.3mOhm @ 101A, 10V4V @ 250μA5480pF @ 25V260nC @ 10V190ns±20V110 ns131A-20V-55V--9.65mm10.668mm4.826mm-无符合RoHS标准无铅TO-262175°C-55°C55V5.48nF5.3mOhm5.3 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262 | 对比 |
| IRFSL7537PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 173A TO262 | 对比 |
| IRF1405LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 131A TO-262 | 对比 |
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