IRF1405ZLPBF备选型号: IPI80N06S3-05

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4.9MOhm
    55V
    75A
    230W
    18 ns
    N-Channel
    4.9m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    4780pF @ 25V
    180nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    82 ns
    75A
    20V
    55V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    55V
    80A
    165W
    -
    N-Channel
    5.4m Ω @ 63A, 10V
    4V @ 110μA
    10760pF @ 25V
    240nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    47 ns
    80A
    20V
    55V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    哑光锡
    260
    40
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    0.0054Ohm
    320A
    345 mJ
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