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IRF1407STRRPBF备选型号: IRF3808STRRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 元素配置
- 宽度
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON150 ns4V @ 250μA2004-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierHIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCESINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET200WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING7.8m Ω @ 78A, 10V5600pF @ 25V250nC @ 10V150ns±20V140 ns100A20V75A0.0078Ohm75V520A4.826mm10.668mm无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON200W Tc4V @ 250μA2007-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼26030R-PSSO-G2-增强型MOSFET200WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 82A, 10V5310pF @ 25V220nC @ 10V140ns±20V120 ns106A20V75A0.007Ohm75V550A4.826mm10.668mm无ROHS3 Compliant-14 WeeksSingle9.65mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB088N08 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| IRF3808STRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK | 对比 |
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