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IRF2204LPBF备选型号: AUIRFSL8407
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
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- 元素配置
- 接通延迟时间
- 下降时间（典型值）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 40V 170A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-262170A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C40V170A200WN-Channel3.6mOhm @ 130A, 10V4V @ 250μA5890pF @ 25V200nC @ 10V140ns40V±20V170A20V40V5.89nF3.6 mΩ符合RoHS标准无铅------------- MOSFET N-CH 40V 195A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010活跃1 (Unlimited)----230WN-Channel2m Ω @ 100A, 10V4V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V70ns-±20V195A20V40V--ROHS3 Compliant无铅16 WeeksEAR991Single19 ns53 ns3 V9.65mm10.67mm4.83mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFSL8405 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 120A TO262 | 对比 |
 | STI270N4F3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 对比 |
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