Infineon Technologies IRF2204LPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

TO-262

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

额定电流

170A

功率耗散

200W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6mOhm @ 130A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5890pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

140ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

170A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

输入电容

5.89nF

最大rds

3.6 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅