IRF2804LPBF备选型号: AUIRF2804L

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 75A TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    260
    75A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6450pF @ 25V
    240nC @ 10V
    120ns
    130 ns
    75A
    4V
    20V
    40V
    540 mJ
    9.652mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO262
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    260
    -
    30
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6450pF @ 25V
    240nC @ 10V
    120ns
    130 ns
    195A
    2V
    20V
    40V
    540 mJ
    9.65mm
    10.668mm
    4.6228mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ±20V
    270A
    0.002Ohm
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