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首页 全部分类 IRF2804PBF vs FDP8441

IRF2804PBF备选型号: FDP8441

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • Infineon Technologies
    IRF2804PBF
    Infineon Technologies
    Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 280.6 Amp 3 Pin 3 Tab TO-220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    2.3Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    75A
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6450pF @ 25V
    240nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    130 ns
    270A
    4V
    TO-220AB
    20V
    40V
    40V
    540 mJ
    84 ns
    4 V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8441
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    23A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    2.7MOhm
    Tin (Sn)
    -
    40V
    80A
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    15000pF @ 25V
    280nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    17.9 ns
    80A
    2.8V
    TO-220AB
    20V
    40V
    -
    947 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    yes
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